无锡海古德年产1020万半导体功率模块陶瓷基板签约江苏东台

1月30日，东台高新区与无锡海古德新技术有限公司在江苏富乐华功率半导体研究院签约年产1020万半导体功率模块陶瓷基板项目。

根据公开信息显示，此次无锡海古德项目投资6亿元，占地约80亩，建设厂房面积约7万平方米，新上六条流延线及排胶线，新购烧结炉、研磨机、激光粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片，氮化硅基板300万片，可实现开票10亿元。

海古德高性能氮化铝陶瓷材料项目由无锡海古德新技术有限公司投资建设。无锡海古德新技术有限公司是一家拥有自主知识产权、高科技专利技术，核心产品高性能氮化铝（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。

海古德产品广泛应用于半导体功率模块（IGBT）、新能源、5G通讯、光通讯、LED封装（HBLED、UVA、UVC）、汽车电子（逆变器、传感器）及影像传感（VCSEL、3D、AR、VR）等诸多领域。

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原文始发于微信公众号（加拿大pc陶瓷展）：无锡海古德年产1020万半导体功率模块陶瓷基板签约江苏东台